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一、定性判断MOS型场效应管的好坏,场效应管代换原则与好坏判断详解,先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(...
www.kiaic.com/article/detail/2353.html 2020-09-24
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MOS管开关的工作详解MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
www.kiaic.com/article/detail/2349.html 2020-09-23
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场效应管知识概述-场效应管应用的四大点详解,场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化...
www.kiaic.com/article/detail/2350.html 2020-09-23
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MOSFET 击穿电压的原因及解决方案:这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三种情形的影响,(1)元件吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响元件的功能和寿命;(2)因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(完全破坏);(3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热...
www.kiaic.com/article/detail/2348.html 2020-09-22
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什么是电阻?简单来说,电阻就是指电流在电路中所遇到的阻力,或者说是指物体对电流的阻碍才能。电阻越大,电流所遭到的阻力就越大,因而电流就越小。反之,电阻越小,电流所遭到的阻力就越小,因而电流就越大。电阻的符号是“R”。电阻的单位为欧姆,简称欧,...
www.kiaic.com/article/detail/476.html 2020-09-21
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MOS管选型规范在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即:VDS_peak≤90%*V(BR)DSS
www.kiaic.com/article/detail/2346.html 2020-09-21
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MOS管SOA分析开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。
www.kiaic.com/article/detail/2345.html 2020-09-21
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MOS管驱动电路设计一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话,MOS管开关速度越快越好,因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损...
www.kiaic.com/article/detail/2344.html 2020-09-18
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保护板MOS管烧坏,锂电池保护板测试时MOS管裂开不会烧毁,可能是因为过充或是温度过高导致的,需要重新焊接MOS管。锂电池保护板测试关系着保护板的性能和电池的使用安全,是很重要的一个环节。
www.kiaic.com/article/detail/2343.html 2020-09-18
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MOS管和三极管原理图并不复杂,但是分开讲述细节,反而不如对比起来容易理解。这里用一张图,让您轻松理解MOS管和三极管的工作原理。
www.kiaic.com/article/detail/2342.html 2020-09-17
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MOS管开关电路是指具有“接通”和“断开”两种状态的电路。输入、输出信号具有两种状态的电路就是一种开关电路。逻辑门电路、双稳态触发器也都是开关电路。 开关电路的原理是由开关管和PWM(Pulse Width ModulaTIoon)控制芯片构成振荡电路,产生高频脉冲。将高...
www.kiaic.com/article/detail/2341.html 2020-09-17
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小电流MOS管 KIA30N03B 30A/30V特征:RDS(on)=15m?@VDS=30V高单元密度沟槽技术超低门电荷优异的Cdv/dt效应下降100%EAS保证绿色设备可用
www.kiaic.com/article/detail/1497.html 2020-09-16
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以840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关,与门极充电达到的电压有关(实际上门极...
www.kiaic.com/article/detail/2334.html 2020-09-16
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MOS管烧坏的原因Mos管主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大...
www.kiaic.com/article/detail/2338.html 2020-09-16